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Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm

About The 9 x 9mm, Kollektorstrom: 50mA, Länge: 5.9mm, MPN: SFH 313 FA-3/4

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm, Erkennbare Spektren: Infrarot, Fallzeit typ.: 14µs, Lichtstrom max.: 12500µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 20 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), Abmessungen: 5.9 x 5.9 x 9mm, Kollektorstrom: 50mA, Länge: 5.9mm, MPN: SFH 313 FA-3/4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fototransistoren

Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fototransistoren

Specifications of Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm

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Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin SOT-223, MPN: IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin SOT-223, MPN: IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,5 A, 3-Pin SOT-223.

    • STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 79 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 4.6mm, MPN: STB42N65M5
    • Chemtronics Schaum ESD-Reinigungsstäbchen, Länge 71mm, Anwendung: Reinigung, 500 Stück/Packung, Gebinde Typ: Beutel, Reinigermaterial: PP, MPN: 41050ESD
    • INA Innenring für Rollenlager Typ Zylindrisch, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 19mm, Breite 16mm, Bohrung Typ: Parallel, MPN: IR15X19X16-XL

    INA Innenring für Rollenlager Typ Zylindrisch, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 19mm, Breite 16mm, Bohrung Typ: Parallel, MPN: IR15X19X16-XL

    INA Innenring für Rollenlager Typ Zylindrisch, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 19mm, Breite 16mm.

    • Chemtronics Baumwoll Wattestäbchen, Länge 79.37mm, Anwendung: Präzisionsreinigung, 30 Stück/Packung, Gebinde Typ: Beutel, Material: Baumwolle, Reinigermaterial: Kunststoff, MPN: 2313-30
    • Hammond Matt Aluminium Griff, L 102mm H 12 mm B 40mm, MPN: M268-2

    Hammond Matt Aluminium Griff, L 102mm H 12 mm B 40mm, MPN: M268-2

    Hammond Matt Aluminium Griff, L 102mm H 12 mm B 40mm.

    • ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm, Erkennbare Spektren: Infrarot, Fallzeit typ.: 14µs, Lichtstrom max.: 12500µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 20 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), Abmessungen: 5.9 x 5.9 x 9mm, Kollektorstrom: 50mA, Länge: 5.9mm, MPN: SFH 313 FA-3/4
    • TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 100Ω ±5% / 9W, Zusammensetzung:: Keramik, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 2176416-8
    • ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 14μs, 740nm → 1080nm / 12500μA, 2-Pin 5mm, Erkennbare Spektren: Infrarot, Fallzeit typ.: 14µs, Lichtstrom max.: 12500µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 20 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), Abmessungen: 5.9 x 5.9 x 9mm, Kollektorstrom: 50mA, Länge: 5.9mm, MPN: SFH 313 FA-3/4
    • TE Connectivity ROX Metalloxid Widerstand, Axial 100Ω ±5% / 9W, Zusammensetzung:: Keramik, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: 2176416-8