Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm, MPN: BSP129
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |