Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm, MPN: BSP317PH6327XTSA1
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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 430 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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