Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

Name: Alliance Memory, Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 K X 16 Bit, Zugriffszeit Max.: 55ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.6 X 10.3 X 1.05mm, Länge: 18.6mm, MPN: AS6C4016-55ZIN
Brand: Alliance Memory
SKU: ABDU-36968
Price: 464.00 EUR
Availability: InStock

About The 6mm, MPN: AS6C4016-55ZIN.Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max

Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 55ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.6 x 10.3 x 1.05mm, Länge: 18.6mm, MPN: AS6C4016-55ZIN

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Mascot Workwear Wiederverwendbar Herren Laborkittel Weiß, Größe 4XL, Anschlusstück: Normal, MPN: 5711074847587

Amphenol RF HF Adapter, BNC, Stecker, Gerade, 4GHz, MPN: 000-15875

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Specifications of Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin
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Last Updated January 4th, 2025 07:49 am

Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

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Taiwan Semiconductor P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TSM2307CX RFG

Taiwan Semiconductor P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23.

BALLUFF BES M12 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 1,5 mm PNP 10 → 30 VDC / 200 mA NO, IP68, Länge: 56mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Edelstahl, Breite: 12mm, Gleichspannung max.: 30V, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: BES 516-300-S265-S4-D

BALLUFF BES M12 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 1,5 mm PNP 10 → 30 VDC / 200 mA NO, IP68.

Infineon ICE2HS01G LLC Evaluierungsplatine, KIT_600W_LLC_AN_CTRL PWM-Controller, Zum Einsatz mit: SMPS, MPN: KIT600WLLCANCTRLTOBO1

Infineon ICE2HS01G LLC Evaluierungsplatine, KIT_600W_LLC_AN_CTRL PWM-Controller.

Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.4kΩ ±0.1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: MMA02040E2401BB100

1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse.Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.

Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.4kΩ ±0.1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: MMA02040E2401BB100

Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse.

Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V Bis 5,5 V, TSOP 44-Pin

About The 6mm, MPN: AS6C4016-55ZIN.Alliance Memory 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,7 V bis 5,5 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max

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BALLUFF BES M12 Näherungssensor Induktiv, Gewinderohr 1,5 mm PNP 10 → 30 VDC / 200 mA NO, IP68, Länge: 56mm, Montagetyp: Bündig, Gehäusematerial: Edelstahl, Breite: 12mm, Gleichspannung max.: 30V, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: BES 516-300-S265-S4-D

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Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.4kΩ ±0.1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: MMA02040E2401BB100

Vishay MMA0204 Dünnschicht SMD-Widerstand 2.4kΩ ±0.1% / 0.25W ±15ppm/°C, Melf 0204 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: MMA02040E2401BB100