OSRAM Opto Semiconductors ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 5mm, Fallzeit typ.: 10µs, Dunkelstrom max.: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 50°, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), Abmessungen: 5.9 x 5.9 x 9mm, Kollektorstrom: 50mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 730 → 1120 nm, MPN: SFH 300 FA
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OSRAM Opto Semiconductors Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 5mm
Specifications of OSRAM Opto Semiconductors Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 10μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 5mm | |
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