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Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

About The : 4500µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 24°, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 4 x 4 x 5

ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm, Fallzeit typ.: 7µs, Lichtstrom max.: 4500µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 24°, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 4 x 4 x 5.2mm, Kollektorstrom: 15mA, MPN: SFH 309 FA-3/4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Displays und Optoelektronik > Optokoppler und Photodetektoren > Fototransistoren

Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

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Specifications of Ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

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