Onsemi MJE350G THT, PNP Transistor –300 V / –500 MA, TO-225 3-Pin
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onsemi MJE350G THT, PNP Transistor –300 V / –500 mA, TO-225 3-Pin, Verlustleistung max.: 20 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 3 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Abmessungen: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 7.74mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJE350G THT, PNP Transistor –300 V / –500 MA, TO-225 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJE350G THT, PNP Transistor –300 V / –500 MA, TO-225 3-Pin | |
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