Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0079 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB45N06S4L08ATMA3
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Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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