Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0029 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IAUS165N08S5N029ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 165 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) | |
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