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Vishay ThunderFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,1 A 5,7 W, 8-Pin SOIC

About The : 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay ThunderFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,1 A 5,7 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 31 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: SI4056DY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay ThunderFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,1 A 5,7 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Vishay ThunderFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 11,1 A 5,7 W, 8-Pin SOIC

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