Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, MPN: IPB17N25S3100ATMA1
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Infineon OptiMOSâ„¢-T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOSâ„¢-T N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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