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Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

About The : +150 °C, MPN: SI2333DDS-T1-GE3.: 19 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 19 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI2333DDS-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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Specifications of Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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