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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRLZ24NPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB
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Rating :- 9.92 /10
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RS PRO Schlauchanschluss 3/8Zoll 1/8Zoll-Gewinde Messing Stecknippel, Schlauch-Endverbindertyp: Schlauchkupplungsadapter
    • Samtec SSW Leiterplattenbuchse gewinkelt 13-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: Durchsteckmontage, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 6.9A, Betriebsspannung: 550 V ac, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, MPN: SSW-113-02-G-S-RA
    • Infineon HEXFET P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 140 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 117 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRF9540NPBF
    • ADAFRUIT INDUSTRIES METRO 328 MCU Development Board ATmega328, Name der Prozessorfamilie: SAM, MPN: 2488
    • Finder Lüfterfilter Typ Lüftermontierter Filter, 224 x 224mm, Rahmen Mat.: Kunststoff, Kunstfaser, Distrelec Product Id: 30215154, Serie: 7F Series, MPN: 7F2090244250
    • METCASE Combimet 19 Zoll Rack Gehäuse 3U Schwarz, 482,6 mm x 265mm x 129,1 mm, Abmessungen (Außen): 132.5 x 482.6 x 265mm, Belüftet: Ja, Außengehäuse-Material: Aluminium, Gewicht: 2.5kg, MPN: M6219349
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRLZ24NPBF
    • HARTING Han-Modular Robustes Power Steckverbinder-Modul, 3-polig Buchse/Stecker, Steckverbindermodul für, Zur Verwendung mit: Stromversorgungssteckverbinder in robuster Ausführung, Kontakt-Format: 3P, Anzahl der Reihen: 1, MPN: 09140033501
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IRLZ24NPBF
    • HARTING Han-Modular Robustes Power Steckverbinder-Modul, 3-polig Buchse/Stecker, Steckverbindermodul für, Zur Verwendung mit: Stromversorgungssteckverbinder in robuster Ausführung, Kontakt-Format: 3P, Anzahl der Reihen: 1, MPN: 09140033501