Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 11,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SISS23DN-T1-GE3
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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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