STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP7NK80Z
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin TO-220 | |
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