STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220

Name: STMicroelectronics, STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand Max.: 8 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 4V, Gate-Schwellenspannung Min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP140NF75
Brand: STMicroelectronics
SKU: ABDU-3886
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

About The STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP140NF75

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Mascot Workwear MANNHEIM Unisex Hose, Baumwolle, Polyester Schwarz, Größe 48 / 39Zoll x 82cm, Art: Hosen, Knieschützer Tasche: Ja, Elastischer Taillenbund: Nein, MPN: 12779-442-09 82C54

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 299 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +25 V, Höhe: 9.15mm, MPN: STP16N65M5

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Specifications of STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220
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Last Updated December 23rd, 2024 12:24 pm

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220

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TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Crimp-Anschlussklemme für Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Buchse, 3mm², Gender: Female, Maximale Drahtgröße mm2: 5mm², Kontaktbeschichtung: Zinn, Minimale Drahtgröße AWG: 12AWG, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Maximale Drahtgröße AWG: 10AWG, MPN: 350923-3

TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Crimp-Anschlussklemme für Universal-MATE-N-LOK-Steckverbindergehäuse, Buchse, 3mm².

Vishay SMD NPN Fototransistor IR, 790nm → 970nm / 9000μA, 2-Pin, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 9000µA, Dunkelstrom max.: 100nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 30 °, Abmessungen: 2.3 x 2.3 x 2.77mm, Kollektorstrom: 50mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 790 → 970 nm, Länge: 2.3mm, MPN: VEMT2000X01

Vishay SMD NPN Fototransistor IR, 790nm → 970nm / 9000μA, 2-Pin.

TE Connectivity Free Height Leiterplattenbuchse Gerade 40-polig / 2-reihig, Raster 0.8mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 500mA, Betriebsspannung: 100 V ac, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, MPN: 5177985-1

8mm.TE Connectivity Free Height Leiterplattenbuchse Gerade 40-polig / 2-reihig, Raster 0.

TE Connectivity Micro-MaTch Leiterplattenbuchse Gerade 4-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Typ: Female-On-Board, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 1.5A, Betriebsspannung: 100 V dc, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, MPN: 7-338069-4

TE Connectivity Micro-MaTch Leiterplattenbuchse Gerade 4-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm.

Wolf Safety Vakuum Taschenlampen-Ersatzlampe, für T6, 2,4 V / 500 mA, Bajonett, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, MPN: TP-406P

Wolf Safety Vakuum Taschenlampen-Ersatzlampe, für T6, 2,4 V / 500 mA, Bajonett.

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 299 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +25 V, Höhe: 9.15mm, MPN: STP16N65M5

STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-220.