Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFD210PBF
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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 MA 1 W, 4-Pin HVMDIP
Specifications of Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 MA 1 W, 4-Pin HVMDIP | |
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