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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, MPN: IRFS31N20DTRLP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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