Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The 67mm, MPN: IRFS7437TRLPBF.: 3
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRFS7437TRLPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 230 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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