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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 450mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 1.35GHz

About The EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 450mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 1

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 450mA AEC-Q200 mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 1.35GHz, Tiefe: 1.7mm, Höhe: 1.4mm, Abmessungen: 2.3 x 1.7 x 1.4mm, Gleichstromwiderstand max.: 280mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B82498F3101J000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 450mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 1.35GHz

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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 450mA AEC-Q200 Mit Keramik-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2.3mm / ±5%, 1.35GHz

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