EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 nH 600mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 5GHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 200mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82496C3100J000
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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 NH 600mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 5GHz
Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 10 NH 600mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 5GHz | |
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