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Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

About The .Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SK2009(F)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

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Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini
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Betaduct 2346 Verdrahtungskanal Schwarz, 50 mm x 50mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23464000N
    • Beta Duct Betaduct 2347 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 37.5mm Noryl, Länge 2m, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23471000N
    • Beta Duct Betaduct 3345 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 50mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 33452000N
    • Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SJ305(F)
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA).

    • Microchip 16 BIT MCU 64LD 40MIPS 128KB FLASH, MPN: PIC24HJ128GP506-I/PT
    • Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SK2009(F)
    • Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement, MPN: 3049644

    Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement, MPN: 3049644

    Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement.

    • Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SK2009(F)
    • Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement, MPN: 3049644

    Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement, MPN: 3049644

    Phoenix Contact HV M12/1-VS 3 Verbindungselement.