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Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

About The 2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0

Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SJ305(F)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

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Specifications of Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini

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Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 MW, 3-Pin SMini
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Beta Duct Betaduct 2346 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 50mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23462000N
    • Beta Duct Betaduct 2346 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 75mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23463000N
    • Microchip 1.2A DUAL MOSFET DRVR, MPN: TC1427CPA

    Microchip 1.2A DUAL MOSFET DRVR, MPN: TC1427CPA

    2A DUAL MOSFET DRVR.Microchip 1.

    • Betaduct 2346 Verdrahtungskanal Schwarz, 50 mm x 50mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23464000N
    • Beta Duct Betaduct 2347 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 37.5mm Noryl, Länge 2m, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 23471000N
    • Beta Duct Betaduct 3345 Verdrahtungskanal Schwarz, 25 mm x 50mm Noryl, Länge 2m, Seitenwand Offen, Kabelkanal / Kettentyp: Geschlitzter Kabelkanal mit Abdeckung, MPN: 33452000N
    • Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SJ305(F)
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA).

    • Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini, Drain-Source-Widerstand max.: 4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: 2SJ305(F)
    • Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA), MPN: IRLR3636TRLPBF

    Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 99 A D-Pak (TO-252AA).