Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,06 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA60R060P7XKSA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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