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Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363

About The : -12 V, +12 V, Länge: 2mm, MPN: BSD235NH6327XTSA1.: 1

Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, MPN: BSD235NH6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 950 MA 500 MW, 6-Pin SOT-363

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