Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 2mm, MPN: BSS214NH6327XTSA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 MW, 3-Pin SOT-323
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 500 MW, 3-Pin SOT-323 | |
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