reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 300mA Mit Nichtmagnetische Keramik-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.3nH,

About The 5mm, Gleichstromwiderstand max.5 x 0

Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 nH 300mA mit Nichtmagnetische Keramik-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.3nH,, Tiefe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.5 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 230mΩ, Resonanzfrequenz max.: 6000MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: LQG15HN4N7S02D

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 300mA Mit Nichtmagnetische Keramik-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.3nH,

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Specifications of Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 300mA Mit Nichtmagnetische Keramik-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.3nH,

Category
Instockinstock

Last Updated

Murata LQG15HN SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 NH 300mA Mit Nichtmagnetische Keramik-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±0.3nH,
More Varieties

Rating :- 9.05 /10
Votes :- 37
STMicroelectronics Elektronische Sicherung IC 60A max, 5 V 18 V max. 1-Kanal Justerbar

STMicroelectronics Elektronische Sicherung IC 60A max, 5 V 18 V max. 1-Kanal Justerbar

1-Kanal Justerbar, MPN: STEF12H60MAPUR.STMicroelectronics Elektronische Sicherung IC 60A max, 5 V 18 V max.

    • onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 349 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.6 x 4.7 x 20.6mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: FGH40N60SMD
    • RS PRO konfektioniertes Sensorkabel 8-adrig, Stecker gerade / M12 Stecker gerade, Länge 1m, Mantelfarbe: Grün, Mantelmaterial: PVC, Kodierung: X, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt
    • onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 2mA, Abmessungen: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: TIP111G
    • onsemi NPN Darlington-Transistor 80 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 2mA, Abmessungen: 10.28 x 4.82 x 15.75mm, MPN: TIP111G