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SICK VTE18 Zylindrisch Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 400 Mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Männlicher Stecker M12,

About The : 30V, Lichtquelle: Infrarot, IP Schutzart: IP67, Strom max.: +70°C, Betriebstemperatur min

SICK VTE18 zylindrisch Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 400 mm, PNP Ausgang, 4-poliger, männlicher Stecker M12,, Schaltnetzteil: Dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Lichtquelle: Infrarot, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit: 2 ms, Gehäusematerial: Kunststoff, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: 6013329

Elektromechanik & Automation und Kabel > Automation > Sensoren > Optische Näherungsschalter

SICK VTE18 Zylindrisch Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 400 Mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Männlicher Stecker M12,

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Specifications of SICK VTE18 Zylindrisch Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 400 Mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Männlicher Stecker M12,

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SICK VTE18 Zylindrisch Optischer Sensor, Energetisch, Bereich 400 Mm, PNP Ausgang, 4-poliger, Männlicher Stecker M12,
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RS PRO Dichtung, Typ Wellendichtring, Innen ø 20mm, Aussen ø 52mm, 12mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi

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    • Arcol HS10 Wickel Lastwiderstand 10Ω ±5% / 10W, Alu Gehäuse Axialanschluss, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Technologie: Gewickelt, Temperaturkoeffizient max.: -100ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 8.8 x 30 x 16.5mm, Gesamthöhe: 8.8mm, Gesamtlänge: 30mm, MPN: HS10 10R J
    • Analog Devices Digitales Potenziometer Seriell (2-Draht, I2C) 50kΩ 256-Position Linear 2-Kanal TSSOP 14-Pin, Speicher-Typ: Flüchtig, Montage-Typ: SMD, Stromversorgungs-Typ: Dual, Single, Versorgungsspannung einzeln typ.: 5 V, Versorgungsspannung bipolar typ.: ±2.5V, Abmessungen: 5 x 4.4 x 1mm, Länge: 5mm, MPN: AD5207BRUZ50
    • STMicroelectronics STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.6mm, MPN: STB30NF20
    • STMicroelectronics STripFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.6mm, MPN: STB30NF20