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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323

About The : -20 V, +20 V, Länge: 2mm, MPN: BSS84PWH6327XTSA1.: 2V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, MPN: BSS84PWH6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323

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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 MA 300 MW, 3-Pin SOT-323
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TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 330kΩ ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGH2512J330K
    • Vishay DIODE FAST 8A 200V TO-220AC, MPN: FES8DT

    Vishay DIODE FAST 8A 200V TO-220AC, MPN: FES8DT

    Vishay DIODE FAST 8A 200V TO-220AC.

    • Vishay Diode, Avalanche, 800V, DO-204AC, MPN: 1N5620-E3

    Vishay Diode, Avalanche, 800V, DO-204AC, MPN: 1N5620-E3

    Vishay Diode, Avalanche, 800V, DO-204AC.

    • HellermannTyton Formteile, Reparatursatz, Ø 24mm Ø 6mm, kleberbeschichtet, Querverknüpft (PO-X), Polyolefin, Schwarz, Kleberbeschichtet: Ja, MPN: 380-04019 LVRK-L-24/6-200-PO-X-BK

    HellermannTyton Formteile, Reparatursatz, Ø 24mm Ø 6mm, kleberbeschichtet, Querverknüpft (PO-X), Polyolefin, Schwarz, Kleberbeschichtet: Ja, MPN: 380-04019 LVRK-L-24/6-200-PO-X-BK

    HellermannTyton Formteile, Reparatursatz, Ø 24mm Ø 6mm, kleberbeschichtet, Querverknüpft (PO-X), Polyolefin, Schwarz.

    • HellermannTyton Helagaine HEGPX Kabel-Schutzschlauch Schwarz PET, Länge 100m Umflochten Dehnbar, Schlauchdurchmesser: 12mm, Umflochten: Ja, MPN: 170-00120 HEGPX12-PET-BK
    • Vishay Diode; 2A IF; 1.15 V (Max.); 400V; 50A Ifms; 100uA IR; SOD-57 Package; -55C, MPN: 1N5060-E3
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, MPN: BSS84PWH6327XTSA1
    • Vishay LED; Red; 5 mcd (Typ.); 3 mm; T-1; 30 mA; 2 V (Typ.); 15 V (Typ.); 100 mW; 30 d, MPN: TLHR4401
    • Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 2mm, MPN: BSS84PWH6327XTSA1
    • Vishay LED; Red; 5 mcd (Typ.); 3 mm; T-1; 30 mA; 2 V (Typ.); 15 V (Typ.); 100 mW; 30 d, MPN: TLHR4401

    Vishay LED; Red; 5 mcd (Typ.); 3 mm; T-1; 30 mA; 2 V (Typ.); 15 V (Typ.); 100 mW; 30 d, MPN: TLHR4401

    Vishay LED; Red; 5 mcd (Typ.); 100 mW; 30 d.); 3 mm; T-1; 30 mA; 2 V (Typ.