Fairchild Semiconductor onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 216 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 107 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCP25N60N_F102
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Fairchild Semiconductor Onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 216 W, 3-Pin TO-220
Specifications of Fairchild Semiconductor Onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 216 W, 3-Pin TO-220 | |
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