Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 63 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRL540NSTRLPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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