IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IXFN360N10T
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IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
Specifications of IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227 | |
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