onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,2 A 900 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.01mm, Länge: 3.04mm, MPN: NTR5198NLT1G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,2 A 900 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,2 A 900 MW, 3-Pin SOT-23 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |