Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
About The : -30 V, +30 V, Länge: 15.Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max
Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK39J60W,S1VQ(O
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
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Specifications of Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN | |
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