Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK62J60W,S1VQ(O
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Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN | |
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