Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 64 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SQ3456BEV-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay SQ Rugged N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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