Infineon CoolMOS CP IPB60R165CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : -30 V, +30 V, Höhe: 4.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon CoolMOS CP IPB60R165CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.572mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS CP IPB60R165CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon CoolMOS CP IPB60R165CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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