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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN

About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: +175 °C, MPN: NTMFS5C628NLT1G

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMFS5C628NLT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN

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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN
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Wera SL3 Schlitz Schraubbit, Biteinsatz, 70 mm, Antriebsgröße: 1/4 Zoll, MPN: 05059466001
    • SICK G6 Kubisch Optischer Sensor, Retroreflektierend, Bereich 0,08 → 12 m, PNP Ausgang, 4-poliger M12-Stecker,, Schaltnetzteil: Hell-/dunkelschaltend, Gleichspannung max.: 30V, Anschlusstyp: 4-poliger Stecker, Lichtquelle: Laserlicht, IP Schutzart: IP67, Strom max.: 100 mA, Reaktionszeit: 625 μs, Gehäusematerial: ABS, Kunststoff, Betriebstemperatur max.: +50°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, MPN: 1122654
    • Wera 1,5 mm Schraubbit, Biteinsatz, 50 mm, Kopftyp: Sechskant, Antriebsgröße: 1/4 Zoll, Distrelec Product Id: 30423793, MPN: 05059602001
    • Wera 3 mm Schraubbit, Biteinsatz, 50 mm, Kopftyp: Sechskant, Antriebsgröße: 1/4 Zoll, Distrelec Product Id: 30409953, MPN: 05059605001
    • Wera 6 mm Schraubbit, Biteinsatz, 89 mm, Kopftyp: Sechskant, MPN: 05059633001
    • Wera 4 mm HEX Plus BO Schraubbit, Biteinsatz, 89 mm, MPN: 05059643001

    Wera 4 mm HEX Plus BO Schraubbit, Biteinsatz, 89 mm, MPN: 05059643001

    Wera 4 mm HEX Plus BO Schraubbit, Biteinsatz, 89 mm.

    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMFS5C628NLT1G
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 46 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, MPN: NTMFS5C673NLT1G
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 A 110 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMFS5C628NLT1G
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 46 W, 5-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, MPN: NTMFS5C673NLT1G