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Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 MA, SOT-23 3-Pin

About The : +150 °C, Eingangswiderstand typ.9 x 1

Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, MPN: BCR 503

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 MA, SOT-23 3-Pin

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Specifications of Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 MA, SOT-23 3-Pin

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Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 MA, SOT-23 3-Pin
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ams OSRAM OSRAM OSCONIQ E 2835 SMD LED Weiß 2,9 V, Anzahl der LEDs: 1, MPN: Q65113A3499
    • Parker Zweifach Hydraulikleitungsklemme für Rohraußen-ø 26.9mm, Gehäusematerial: Polypropylen, MPN: RAP426.9X
    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 560Ω ±5% / 1W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: -500 → +350ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C
    • Amphenol ICC 863093C Sub-D Gehäuse gewinkelt / gerade, 15-polig, Silber, Größe A, aus Thermoplast,, Gehäusematerialbeschichtung: Metallisiert, Zugentlastung: Ja, MPN: 863093C15MLF
    • DiodesZetex Gate-Ansteuerungsmodul CMOS, TTL 0.3 → +625V 20-Pin SO-20 40ns, MPN: DGD2388MS20-13
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9,4 A 2,03 W, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, MPN: DMN2022UFDF-7
    • Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, MPN: BCR 503
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 220kΩ 0.1% / 0.06W ±50 → 100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±50 → 100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • Infineon BCR503E6327HTSA1 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 500 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 330 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, MPN: BCR 503
    • RS PRO Dünnschicht Widerstand 220kΩ 0.1% / 0.06W ±50 → 100ppm/°C, 0402 (1005M) Gehäuse, Temperaturkoeffizient: ±50 → 100ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C