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Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

About The 3V, Gate-Source Spannung max.4V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF9362TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC
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RS PRO Bolzenschneider, Stahl 620 mm, Schneidkraft → 9 mm

RS PRO Bolzenschneider, Stahl 620 mm, Schneidkraft → 9 mm

RS PRO Bolzenschneider, Stahl 620 mm, Schneidkraft → 9 mm.

    • SKF Einreihiges Rillenkugellager Rillenkugellager 1-reihig, Innen-Ø 30mm / Außen-Ø 62mm, Breite 16mm, Dichtungsanordnung: Einseitig geschirmt, Lagerspiel: C3, Material: Stahl, Käfigmaterial: Stahlblech, Statische Traglast: 11.2kN, Dynamische Traglast: 20.3kN, Bohrung Typ: Parallel, Lager-Serie: 2 Leicht, MPN: 6206-Z/C3
    • RS PRO, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1μF ±20% / 50V dc, Ø 4mm x 5mm x 5mm, bis 105°C, Kapazität: 1µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 4 (Dia.) x 5mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Anschlussraster: 1.5mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom:
    • Dormer Cobalt Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm, MPN: A720 0-50MM

    Dormer Cobalt Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm, MPN: A720 0-50MM

    Dormer Cobalt Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm.

    • RS PRO Bolzenschneider, Stahl 900 mm, Schneidkraft → 13 mm

    RS PRO Bolzenschneider, Stahl 900 mm, Schneidkraft → 13 mm

    RS PRO Bolzenschneider, Stahl 900 mm, Schneidkraft → 13 mm.

    • Fischer Elektronik Kühlkörper 6.2K/W, 50.8mm x 45mm x 12.7mm, Clipmontage, Abmessungen: 50.8 x 45 x 12.7mm, Farbe: Schwarz, MPN: SK409-50,8STC
    • Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF9362TRPBF
    • Arcol Ohmite HS Kühlkörper 0.3°C/W, 254mm x 248mm x 58mm, Schraubmontage, Abmessungen: 254 x 248 x 58mm, Material: Aluminium, Gehäusetyp: Leistungswiderstand, MPN: AH10928V10000JE
    • Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF9362TRPBF
    • Arcol Ohmite HS Kühlkörper 0.3°C/W, 254mm x 248mm x 58mm, Schraubmontage, Abmessungen: 254 x 248 x 58mm, Material: Aluminium, Gehäusetyp: Leistungswiderstand, MPN: AH10928V10000JE