Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34,6 A 313 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, MPN: SPW35N60C3FKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34,6 A 313 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34,6 A 313 W, 3-Pin TO-247 | |
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