Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 53 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 28 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TSM230N06CP
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Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 53 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 53 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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