3M 103 D-Sub-Gehäuse Gerade, 26-polig, Natur, Größe D, Aus Aluminium, Nickel-beschichtet

About The 3M 103 D-Sub-Gehäuse gerade, 26-polig, Natur, Größe D, aus Aluminium, Nickel-beschichtet, Zugentlastung: Ja, MPN: 10326-A200-00

3M 103 D-Sub-Gehäuse gerade, 26-polig, Natur, Größe D, aus Aluminium, Nickel-beschichtet, Zugentlastung: Ja, MPN: 10326-A200-00

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > USB D-Sub & Computer Steckverbinder > D-Sub Gehäuse

TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuhe, Unisoliert, aussen ø 7.14mm, innen ø 4.34mm, max. 1.65mm², M4

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

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Specifications of 3M 103 D-Sub-Gehäuse Gerade, 26-polig, Natur, Größe D, Aus Aluminium, Nickel-beschichtet
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Last Updated December 18th, 2024 09:01 am

3M 103 D-Sub-Gehäuse Gerade, 26-polig, Natur, Größe D, Aus Aluminium, Nickel-beschichtet

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Altech Aderendhülsen bis 1mm², Stift ø 1.7mm, Rot, PP, 8mm, 14mm, Isoliert, 18AWG max., MPN: 2871

Altech Aderendhülsen bis 1mm², Stift ø 1.7mm, Rot, PP, 8mm, 14mm, Isoliert, 18AWG max..

Phoenix Contact COMBICON Leiterplattensteckverbinder MC 1,5/ 4-STF-3,5, MPN: 1847071

Phoenix Contact COMBICON Leiterplattensteckverbinder MC 1,5/ 4-STF-3,5.

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Phoenix Contact COMBICON Leiterplattensteckverbinder MC 1,5/ 5-STF-3,5.

Phoenix Contact Grundleiste für Leiterplattensteckverbinder MSTBO 2,5/ 3-GR-5,08, MPN: 1847110

Phoenix Contact Grundleiste für Leiterplattensteckverbinder MSTBO 2,5/ 3-GR-5,08.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, MPN: SQJA76EP-T1_GE3

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 75 A 66 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L.

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 65,7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8.