Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: SiA106DJ-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |