Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,049 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.8V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB049N08N5ATMA1
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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 80 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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