Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,36 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPP60R360P7XKSA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220 | |
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