Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 0,009 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRFSL4410ZPBF
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Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Specifications of Infineon StrongIRFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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