onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET dünn, Drain-Source-Widerstand max.: 530 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDME1023PZT
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Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET Dünn
Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 1,4 W, 6-Pin MicroFET Dünn | |
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