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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

About The 405 x 0.79mm, MPN: CY7C1041G-10VXI

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin, Organisation: 256 K x 16, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 1.13 x 0.405 x 0.11Zoll, Höhe: 2.79mm, MPN: CY7C1041G-10VXI

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM

Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V Bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin
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Omron G3VM SMD Halbleiterrelais DC, 1-poliger Schließer 400 Vac / 0,12 A

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65mm, MPN: G3VM-401D.: 120 mA, Anschluss Typ: Leiterplattenstift, Ausgangsschaltung: MOSFET, Gehäuseform: SMD4, Lastspannungsbereich: 0 → 400V ac, Abmessungen: 4.Omron G3VM SMD Halbleiterrelais DC, 1-poliger Schließer 400 Vac / 0,12 A, Montage Typ: Oberflächenmontage, Steuerspannung max. 1,3 V, Laststrom min.

    • Cornell-Dubilier CAPACITOR, POLYPROPYLENE FILM, HIGH DV/DT, 2000V, .1 UF, MPN: 940C20P1K-F

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    • Bulgin Stecker Miniatur-Stromversorgungssteckverbinder, Zinn, Tafelmontage, Löten, 3A, 250 V ac, Kontaktmaterial: Messing, Betriebstemperatur min.: -20°C, Betriebstemperatur (max.): +60°C, MPN: PX0429
    • SKF Kupplung, Rasterkupplung, Außen-Ø 211mm / Bohrung 117mm x 118mm, 9320Nm, Befestigung Typ: Stellschraube, MPN: PHE 1110TGGRID
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