TE Connectivity Header; Breakaway; 0.100 X 0.100 In.; PC Board; Dual; 80; 0.025 In.; 0.12 In.

Name: TE Connectivity | TE Connectivity Header; Breakaway; 0.100 X 0.100 In.; PC Board; Dual; 80; 0.025 In.; 0.12 In.
Brand: TE Connectivity
SKU: ABDU-454708
Price: 4.41 EUR
Availability: InStock

About The ; 0.100 in

TE Connectivity Header; Breakaway; 0.100 x 0.100 in.; PC Board; Dual; 80; 0.025 in.; 0.12 in., MPN: 9-103330-0

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse > Leiterplatten Header

RS PRO Sensor-Box 24V dc 8 Anschlüsse 5 Auslässe M12 Gerade, Betriebsspannung: 24V dc, Gehäusematerial: Kunststoff, IP Schutzart: IP67, Temperaturbereich: -20 → +70 °C., Kabellänge: 5m

Fischer Fixings Fischer Dübel L.

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Specifications of TE Connectivity Header; Breakaway; 0.100 X 0.100 In.; PC Board; Dual; 80; 0.025 In.; 0.12 In.
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Eaton Trennbarriere 1-kanalig Strom, Spannung, Impuls 24V dc ATEX 50mA max. 35V

Eaton Trennbarriere 1-kanalig Strom, Spannung, Impuls 24V dc ATEX 50mA max. 35V, Betriebstemperatur max.: -20°C, Versorgungsspannung: 24V dc, Serie: MTL5500, Betriebstemperaturbereich: -20 → +60°C, MPN: MTL5532.: +60°C, Betriebstemperatur min.

SKF Starre Wellenkupplung Bohrung 90mm L. 53mm Aussen ø 279mm

53mm Aussen ø 279mm, Kupplungstyp: Flanschkupplung, MPN: PHE F110RSBFLG.SKF Starre Wellenkupplung Bohrung 90mm L.

Vishay CRCW-IF,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW0603100KJNEAIF

1W ±200ppm/K, 0603 (1608M) Gehäuse.

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1041G30-10ZSXE

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin.

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1041G30-10ZSXE

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin.

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Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1041G30-10ZSXE

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.51 x 10.26 x 1.05mm, MPN: CY7C1041G30-10ZSXE